Produkta pārskats
Šī elektronu staru iztvaikošanas plānās plēves iekārta ir izstrādāta augstas -precizitātes fiziskai tvaiku pārklāšanai (PVD). Izmantojot fokusētu augstas -enerģijas elektronu staru, lai bombardētu izejmateriālus, sistēma sasniedz augstu iztvaikošanas ātrumu metāliem, oksīdiem un dielektriskiem materiāliem ar augstu-kušanas-punktu.
Sistēma ir veidota, pamatojoties uz modulāru vakuuma arhitektūru, un tajā ir iekļauti vairāku-kabatas elektronu pistoles, pielāgojami substrāta stiprinājumi un uzlabota in-uzraudzība. Tas apkalpo pētniecības un izstrādes laboratorijas un augstas -caurlaidības ražošanas līnijas, kurām nepieciešama stingra plēves stehiometrijas, adhēzijas un optiskās veiktspējas kontrole.
-
![Augsta vakuuma elektronu staru iztvaikošanas iekārtas]()
Augsta vakuuma elektronu staru iztvaikošanas iekārtasEBE{0}}Sērijas augsta vakuuma elektronu staru iztvaikošanas sistēma uzklāj augstas-tīrības pakāpes plānas plēves optiskām, pusvadītāju un metalurģijas vajadzībām. Novirzot magnētiski fokusētu...Skatīt vairāk -
![Elektronu staru plānās plēves uzklāšanas sistēma]()
Elektronu staru plānās plēves uzklāšanas sistēmaElektronstaru plānās plēves pārklājuma sistēma nodrošina virzītu, augstas{0}}tīrības pakāpes PVD apstrādi progresīvai pētniecībai un rūpnieciskai ražošanai. Izmantojot fokusētu, magnētiski vadītu...Skatīt vairāk -
![Elektronu staru vakuuma iztvaicēšanas iekārtas]()
Elektronu staru vakuuma iztvaicēšanas iekārtasŠī elektronu staru vakuuma iztvaikošanas sistēma veic metālu, oksīdu un dielektriķu augstas -kušanas-punkta fizisku tvaiku pārklāšanu (PVD). Novirzot fokusētu elektronu staru ūdens-dzesētā vara...Skatīt vairāk -
![Elektronu staru plānslāņa pārklājuma aprīkojums]()
Elektronu staru plānslāņa pārklājuma aprīkojumsŠajā rūpnieciskajā elektronu staru kūļa pārklāšanas sistēmā tiek izmantoti magnētiski fokusēti elektronu lielgabali (3 kW līdz 15 kW), lai novirzītu augsta-blīvuma enerģijas plūsmas uz...Skatīt vairāk -
![Elektronu staru iztvaikošanas plānslāņa sistēma]()
Elektronu staru iztvaikošanas plānslāņa sistēmaEBE-Sērijas elektronu staru iztvaikošanas sistēma ir izstrādāta metālu, dielektriķu un optisku materiālu fiziskai tvaiku pārklāšanai (PVD) ar augstu-kušanas-punktu. Izmantojot magnētiski...Skatīt vairāk -
![Plānās plēves iekārtas elektronu staru iztvaicēšanai]()
Plānās plēves iekārtas elektronu staru iztvaicēšanaiEBE-V600 sērija ir rūpnieciska-mēroga fiziskās tvaiku pārklāšanas (PVD) platforma, kas paredzēta precīzai optisko komponentu, pusvadītāju ierīču un modernu materiālu plānas plēves pārklāšanai....Skatīt vairāk
Tehniskās specifikācijas
|
Parametrs |
Specifikāciju diapazons |
Piezīmes / standarta konfigurācija |
|
Galīgais bāzes spiediens |
< 5.0 × 10^-6 Pa |
Panākts, izmantojot kriogēnās vai turbo{0}}molekulāras sūknēšanas grupas |
|
Kameras izmēri |
Pielāgots (500 mm līdz 1200 mm iekšējais diametrs) |
304L / 316L nerūsējošais tērauds, elektro-pulēts |
|
E-Ieroču jaudas novērtējums |
6 kW līdz 15 kW (vairāki kabatas slaucīšanas ģeneratori) |
Programmējama stara novirze un vairāku{0}}tīģeļu indeksēšana |
|
Nogulsnēšanās ātrums |
0,1 nm/s līdz 10 nm/s |
Reāllaika-slēgtas-cilpas vadība, izmantojot kvarca kristāla monitoru |
|
Plēves biezuma viendabīgums |
< ±1% to ±2% across standard substrates |
Planētu vai kupola substrāta armatūra ar mainīgu rotācijas ātrumu |
|
Pamatnes temperatūra |
Apkārtējā līdz 800 grādiem |
Integrēta starojuma apkure ar PID termisko atgriezenisko saiti |
Galvenās aprīkojuma īpašības
Augstas-stabilitātes elektronu pistole:
Ir aprīkots ar magnētisko novirzi un vairāku{0}}punktu fokusēšanu, lai novērstu izejmateriālu lokālu pārkaršanu un novērstu spļaušanu reaktīvās iztvaikošanas laikā.
Moduļu tīģeļa dizains:
Aprīkots ar 4 līdz 6-kabatas indeksējamiem pavardiem, kas ļauj veikt vairāku slāņu uzklāšanu, nesalaužot vakuumu.
Uzlabots vakuuma bloķētājs:
PLC{0}}vadāmi pneimatiskie vārsti, automatizēta raupja/augsta{1}}vakuuma secība un bloķētāji aizsargā pret dzesēšanas ūdens atteici un strāvas padeves traucējumiem.
Zema-piesārņojuma kamera:
Iekšējā ekranējumā ir izmantots elektro{0}}pulēts nerūsējošais tērauds ar noņemamām starplikām, lai ātri samazinātu daļiņu daudzumu un veiktu apkopi.
Filmu materiāli un substrāti
Saderīgi iztvaikošanas materiāli
Metāli: Au, Ag, Al, Ti, Cr, Ni, Pt, Cu, Mo, W
Dielektriķi un oksīdi: SiO2, TiO2, Al2O3, Ta2O5, HfO2, ITO
Substrātu veidi
Silīcija vafeles (2 collu līdz 12 collu)
Optiskā stikla, kausēta silīcija dioksīda un kvarca substrāti
Elastīgas polimēru plēves (poliimīds, PET, izmantojot ruļļu{0}}to{1}}ruļļu moduļus)
Keramikas pamatnes (Al2O3, AlN)
Lietojumprogrammas
Optiskie pārklājumi:
Pret-atstarojoši (AR) pārklājumi, šauras joslas-filtri un augstas-atstarošanas spoguļi lāzera un fotonikas sistēmām.
Pusvadītāju ierīces:
Ohmiskā kontaktu veidošana, vārtu metalizācija un pacelšanas{0}}apstrāde mikroelektronikai.
Optoelektronika:
Caurspīdīgi vadoša oksīda (TCO) slāņi un plānas plēves OLED displejiem un fotoelementiem.
Uzlabotā pētniecība un attīstība:
Izpētes plānu -plēvju magnētiskie slāņi, supravadošas plēves un daudzslāņu heterostruktūras.
Pielāgošana un sistēmas konfigurācija
Katra plānās{0}}plēves sistēma ir konfigurēta tā, lai tā atbilstu konkrētām procesa receptēm un iekārtu izkārtojumiem. Pieejamie inženiertehniskie pielāgojumi ietver:
Sūknēšanas skursteņa izvēle:
Turbo-molekulārie sūkņi (TMP), kriosūkņi vai eļļas-difūzijas konfigurācijas, kas pielāgotas pamata vakuuma un caurlaides prasībām.
Ielādēt{0}}bloķēšanas integrāciju:
Manuālas ielādes-bloķēšanas vai automatizētas vairāku-kameru kopu sistēmas, lai saglabātu īpaši-augstu vakuuma integritāti un palielinātu vafeļu caurlaidspēju.
In-Situ metroloģija:
Integrācijas porti spektroskopiskajiem elipsometriem, optiskajiem monitoriem vai atlikuma gāzes analizatoriem (RGA).
Kontroles programmatūra:
Patentēts PLC/HMI interfeiss ar recepšu uzglabāšanu, datu reģistrēšanu un SECS/GEM sakaru protokoliem viedai rūpnīcas integrācijai.
Ražošana un kvalitātes kontrole
Kuģu izgatavošana:
Visām vakuuma kamerām tiek veikta hēlija masas spektrometra noplūdes pārbaude ar atgrūšanas slieksni < 1 × 10^-9 Pa·m³/s.
Metināšanas integritāte:
TIG metināšana tiek veikta zem inertās gāzes ekranēšanas, kam seko iekšējās virsmas pasivēšana un mehāniskā pulēšana, lai samazinātu izplūdes gāzes.
Rūpnīcas pieņemšanas pārbaude (FAT):
72-stundu nepārtrauktas sausas darbības-pārbaude, kas mēra sūknēšanas līknes, e-pistoles slaucīšanas precizitāti, bloķēšanas reakcijas laiku un termisko stabilitāti pirms kastes ievietošanas.
Atbilstība un standarti:
Ražots saskaņā ar ISO 9001 sertificētu kvalitātes vadības sistēmu ar sistēmām, kas izstrādātas, lai atbilstu CE direktīvām un attiecīgajām SEMI (S2/S8) drošības un ergonomikas vadlīnijām.
FAQ
Mēs esam labi{0}}pazīstami kā viens no vadošajiem elektronu staru iztvaikošanas plānslāņa iekārtu ražotājiem un piegādātājiem Ķīnā. Ja plānojat iegādāties pielāgotu Ķīnā ražotu elektronu staru iztvaikošanas plānslāņa aprīkojumu, laipni lūdzam saņemt mūsu rūpnīcas cenu sarakstu. Par cenu konsultāciju sazinieties ar mums.
