Elektronu staru plānās plēves uzklāšanas sistēma

Elektronu staru plānās plēves uzklāšanas sistēma

Informācija
Elektronstaru plānās plēves pārklājuma sistēma nodrošina virzītu, augstas{0}}tīrības pakāpes PVD apstrādi progresīvai pētniecībai un rūpnieciskai ražošanai. Izmantojot fokusētu, magnētiski vadītu elektronu staru, kas vērsts uz izejmateriālu ūdens -dzesēta vara tīģelī, sistēma nodrošina ugunsizturīgo metālu, oksīdu un dielektrisko savienojumu termisko iztvaikošanu bez tīģeļa piesārņojuma.
Produktu klasifikācija
Plānās plēves iekārtas elektronu staru iztvaicēšanai
 
Nosūtīt pieprasījumu
Apraksts
Tehniskie parametri

Elektronstaru plānās plēves pārklājuma sistēma nodrošina virzītu, augstas{0}}tīrības pakāpes PVD apstrādi progresīvai pētniecībai un rūpnieciskai ražošanai. Izmantojot fokusētu, magnētiski vadītu elektronu staru, kas vērsts uz izejmateriālu ūdens -dzesēta vara tīģelī, sistēma nodrošina ugunsizturīgo metālu, oksīdu un dielektrisko savienojumu termisko iztvaikošanu bez tīģeļa piesārņojuma.


Arhitektūra, kas izstrādāta integrācijai tīrā telpā, apvieno modulāras vakuuma kameras, vairāku -kabatas E-staru pistoles un slēgtas-cilpas procesa automatizāciju, lai regulētu plēves biezumu, stehiometriju un saskarnes asumu.

 

Tehniskās specifikācijas

 

Parametrs

Specifikāciju diapazons/detaļa

Galīgais bāzes spiediens

< 5 x 10^-7 Torr (Cryogenic or turbomolecular configurations)

Sūkņa{0}}dīkstāves laiks

< 15 minutes to 1 x 10^-5 Torr (Clean, dry, empty chamber)

E-Siju ieroču spēks

3 kW līdz 10 kW (vairāku kabatu{2}}slaucīšanas kontrolieris ar automātisko-slaucīšanu)

Tīģeļa konfigurācija

4 līdz 6 kabatas; No 7 cc līdz 40 cc kabatā

Substrāta turētājs

Rotācijas -iespējotas, ūdens/sildītājs-vadāmas pakāpes, kas atbalsta līdz 200 mm vafeles vai pielāgotas plakanas pamatnes

Plēves biezuma viendabīgums

< +/- 1% across a 100 mm deposition area (Optimized via planetary fixture or source-to-substrate distance)

Nogulsnēšanās ātruma kontrole

No 0,01 nm/s līdz 10 nm/s regulē ar divkanālu kvarca kristāla mikrobalansu (QCM)

Kameras materiāls

304 l nerūsējošais tērauds, elektropulēts (Ra < 0,25 um), iekšējie metinājumi ar augstu -vakuuma

 

Galvenās iezīmes


270 grādu magnētiskā novirze:Izliec elektronu trajektoriju, lai pasargātu emitētāja pavedienu no tiešas tvaika plūsmas, pagarinot darbības ilgumu un stabilizējot emisijas strāvu.


Digitālā slaucīšanas kontrole:Programmējamie staru modeļi novērš lokālu tīģeļa tuneli un nodrošina vienmērīgu materiāla patēriņu vairāku{0}}kabatu pavardu vietās.


Slēgtā{0}}cikla QCM noteikumi:Divu{0}}sensoru atgriezeniskā saite dinamiski pielāgo barošanas avota izejas, lai stabilizētu nogulsnēšanās ātrumu un nomāktu sakausējuma stehiometrijas novirzi.


PLC bloķēšanas arhitektūra:Dzesēšanas ūdens plūsmas, augstsprieguma-izolācijas, durvju blīvējumu un priekšējās līnijas spiediena uzraudzība reāllaikā, lai aizsargātu operatorus un vakuuma integritāti.


Papildu nogulsnēšanas porti:Atloku piekļuves punkti atbalsta sekundāro integrāciju, tostarp termolaivas, jonu -atbalstītas nogulsnēšanas (IAD) režģveida jonu pistoles un magnetronu izsmidzināšanas katodus.

 

Vakuuma sistēmas konfigurācija


Nelīdzenuma posms:Bezeļļas-sūknis, kas savienots pārī ar sakņu pūtēju, nodrošina vibrāciju-izolētu aptuvenu spiedienu līdz 10^-2 Torr, novēršot ogļūdeņražu pretplūsmu.


Augsta{0}}vakuuma stadija:Turbomolekulārais sūknis (1200 l/s līdz 2200 l/s), kas nodrošināts ar kriogēno slazdu, kas nodrošina darbības procesa spiedienu no 10^-6 līdz 10^-4 Torr.


Kameras konstrukcija:Ar dubultu-O-gredzenu noslēgtu, spriedzi atbrīvotu-304 L nerūsējošais tērauds ar elektropulētām iekšējām virsmām, lai samazinātu gāzu izdalīšanos un mitruma aizturi.

 

Filmu materiāli un substrāti


Saderīgi uzklāšanas materiāli
Ugunsizturīgi metāli:
Titāns (Ti), hroms (Cr), tantals (Ta), molibdēns (Mo), volframs (W), platīns (Pt), zelts (Au).


Dielektriķi un oksīdi:Silīcija dioksīds (SiO2), titāna dioksīds (TiO2), tantala pentoksīds (Ta2O5), alumīnija oksīds (Al2O3), hafnija dioksīds (HfO2).


Saderīgi substrāti
Pusvadītāju plāksnes (Si, GaAs, InP, 2 collu līdz 8 collu).


Optiskā stikla sagataves, kvarca, kausēta silīcija dioksīda un safīra logi.


Elastīgas metāla folijas un keramikas substrāti (Al2O3).

 

Lietojumprogrammas


Pusvadītāju izgatavošana:Metāla vārtu kontaktu nogulsnēšana, barjeru slāņi un noņem{0}}metalizācijas skursteņi mikroelektronikas izpētei un izmēģinājuma līnijām.


Precīzijas optika:Daudzslāņu optisko traucējumu filtri, pret-atstarojoši (AR) pārklājumi, augstas-atstarojuma lāzera spoguļi un staru sadalītāji.


Optoelektronika:Caurspīdīgi vadoši elektrodi un plānas{0}}plēves slāņi OLED displejiem, fotodetektoriem un saules baterijām.


Uzlaboti materiāli:Magnētiskā sakausējuma augšana, supravadītāju prekursori un nodilumizturīgi-aizsargpārklājumi.

 

Pielāgošanas opcijas


Kameras izmēri:Mērogoti vertikāli vai horizontāli tilpumi, lai tie atbilstu ne-standarta industriālajiem ķermeņiem vai lieliem{1}}platības paneļiem.


Kop-iztvaicēšanas iestatījumi:Vairāku E{0}}staru pistoļu un termiskās efūzijas elementu integrācija sarežģītu sakausējumu sintēzei.


Ielādēt{0}}bloķēšanas integrāciju:Manuālas vai automatizētas lineārās pārneses sviras, lai uzturētu augstu -vakuuma integritāti augstas{1}}caurlaidības vafeļu ielādes laikā.


Programmatūras integrācija:SCADA pielāgoti protokoli, kas atbalsta recepšu rediģēšanu, audita reģistrēšanu un SECS/GEM rūpnīcas automatizācijas standartus.

 

Kvalitātes kontrole


Hēlija noplūdes noteikšana:Masas spektrometra pārbaude nodrošina, ka kameras metināšanas noplūdes līmenis paliek zem 1 x 10^-9 atm*cm3/sek.


Elektriskā pārbaude:Augstsprieguma{0}}izolācijas pārbaude, zemējuma nepārtrauktības pārbaudes un bloķēšanas reakcijas validācija atbilstoši rūpnieciskās drošības kodiem.


Rūpnīcas pieņemšanas pārbaude (FAT):72-stundu nepārtraukta darbības iedegšana, ierakstot galīgās vakuuma līknes, pistoles emisijas stabilitāti un automatizētu receptes izpildi pirms nosūtīšanas.

 

Uzstādīšana un tehniskais atbalsts


Pirms-instalēšanas rokasgrāmata:Detalizēta dokumentācija par slēgtā{0}cilpas dzesētā ūdens cilpām, nosūces ventilāciju, elektriskās slodzes prasībām (380V/480V 3-fāzu) un tīrās telpas grīdas slodzi.


Nodošana ekspluatācijā uz vietas:Mehāniskā pozicionēšana-uz vietas, vakuuma līnijas savienošana-, elektriskie savienojumi un bāzes līnijas kalibrēšana, ko veic rūpnīcas servisa inženieri.


Darbības apmācība:Praktiski{0}}norādījumi par kvēldiega nomaiņu, tīģeļa atkārtotu ielādi, QCM kalibrēšanu un parasto PLC problēmu novēršanu.

 

FAQ

 

J: Kāds ir standarta sūkņa dīkstāves laiks-no atmosfēras līdz darba spiedienam?

A: Ar tīru, sausu kameru un standarta turbomolekulāro iestatījumu sistēma sasniedz darbības bāzes spiedienu 5 x 10^-6 Torr mazāk nekā 15 minūtēs.

J: Vai sistēmu var konfigurēt kop{0}}nogulsnēšanai?

A: Jā. Vairāku-pistoles konfigurācijas vai kombinētie E-staru un siltuma avota iestatījumi nodrošina vienlaicīgu kop-iztvaikošanu ar neatkarīgiem ātruma regulatoriem.

J: Kādi objekta komunālie pakalpojumi ir nepieciešami?

A. Nepieciešamās utilītas ir slēgta -cilpas atdzesēts ūdens (~20 grādi C, 0,3 MPa), saspiests gaiss (0,6 MPa) pneimatiskajiem vārstiem, N2 attīrīšanas līnijas un īpaša 3 fāzu elektriskā jauda, ​​kas atbilst izvēlētajam barošanas avotam (3 kW līdz 10 kW).

J: Kā tiek novērsta dažādu izejmateriālu savstarpēja{0}}piesārņošana?

A. Daudz{0}}kabatu pavards izmanto ūdens-dzesētu vara komplektu ar maināmu kabatas rotāciju, fiziski un termiski izolējošiem materiāliem, ko papildina pielāgots ekranējums, lai apturētu šķērsplūsmu.

 

Populāri tagi: elektronu staru plānslāņa uzklāšanas sistēma, Ķīnas elektronu staru plānslāņa uzklāšanas sistēmu ražotāji, piegādātāji, rūpnīca

Nosūtīt pieprasījumu
Sazinieties ar mumsja jums ir kādi jautājumi

Jūs varat sazināties ar mums pa tālruni, e-pastu vai tiešsaistes formu zemāk. Mūsu speciālists tuvākajā laikā ar jums sazināsies.

Sazinieties tagad!